Tantalum Rod pro elektronický průmysl

Shaanxi Zhongheng Weichuang Metal Materials Co., Ltd. supplies high-quality rare metals, mainly including niobium hafnium alloy 103, tungsten, tantalum, niobium, hafnium, titanium, zirconium, nickel, vanadium and alloys of conventional processed profiles such as plates, strips, coils, rods, wires, pipes, as well Jako hluboké zpracované výrobky, jako jsou lodě, kelímky, rozprašovací cíle, potahovací cíle, obrobené části, izolační obrazovky s vysokou teplotou, topné prvky, tělesa pece (topné pece, žíhací pece), koroziosové vybavení atd.

Jako výrobce, dodavatel a vývozce Tantalu poskytujeme vysoce čistotu, vysokoteplotní odolné, korozi odolné, letecké, obranné, vojenské a námořní inženýrské specializované výrobky s kvalitou bez obav a příznivější ceny! Zákaznický servis je vždy online, takže nemáte obavy.

Charakteristiky a vlastnosti

 

 

01

Vysoká hustota

Tantalum má hustotu přibližně 16,68 g/cm ³, což v některých aplikacích poskytuje požadovanou hmotnost a stabilitu.

 

02

Vysoký bod tání

Vysoký bod tání Tantalu mu umožňuje odolat extrémních teplotách, takže je vhodný pro aplikace ve vysokoteplotním prostředí.

 

03

Odolnost proti korozi

Tantalum vykazuje vynikající odolnost proti korozi v mnoha roztocích kyseliny, alkalií a solí, zejména v silném prostředí kyseliny.

 

04

Dobrá vodivost a tepelná vodivost

Tantalum má vynikající vodivost a tepelnou vodivost, takže je vhodná pro tepelné řízení v elektronických aplikacích.

Tantalum tyč (čistota větší nebo rovná 99,95%) se stala nenahraditelným materiálem pro elektronické komponenty kvůli jeho ultra vysoké dielektrické konstantě (dielektrická konstanta oxidu povrchu až do 26) a charakteristiky nízkého úniku. Jeho koeficient tepelné roztažnosti (6,5 x 10 ⁻⁶/ stupeň) je blízko k křemíkovému destičkám (4,5 × 10 ⁻⁶/ stupeň), což může účinně snížit riziko selhání zařízení způsobeného tepelným napětím. Ve vysokoteplotních a vysokofrekvenčních prostředích je stabilita tantalum tyčí lepší než tradiční materiály, jako je hliník a měď. Například jejich odpor se zvyšuje pouze o 12% při 300 stupních, zatímco slitiny mědi se zvyšují až o 45%.

Typické scénáře aplikací a případy

• Výroba kondenzátoru Tantalum

Institut Murata v Japonsku používá porézní anodu vytvořenou slinováním tantalum tyč o průměru 0,3 mm se specifickou kapacitou až 200 000 μm v/g, což je 8krát vyšší než u hliníkových kondenzátorů. Jeho produkty se široce používají v modulech výkonu 5G základní stanice a dosahují 60% snížení velikosti při prodloužení životnosti na 100 000 hodin.

• Polovodičový rozprašovací cílový materiál

SMIC používá k přípravě bariérové ​​vrstvy pro čipy bariéry pro 7nm čipy, s rychlostí depozice o rozprašování 0,8 μm/min a rychlostí defektů, což zlepšuje výtěžek o 15%, což zvyšuje výtěžek o 15%, což zvyšuje výtěžek o 15%, což zlepšuje výtěžek o 15%, což zvyšuje bariérovou vrstvu pro 7nm čipy, což zvyšuje bariérovou vrstvu pro 7nm čipy, což zvyšuje bariérovou vrstvu o 15nm čipy, což zvyšuje bariérovou vrstvu o rozprašovací depoziční.

• Přesný odpor

Odporor tenkého filmu na bázi tantalum na bázi tantalum vyvinutý společností Vishay Corporation ve Spojených státech má teplotní koeficient až ± 5ppm/ stupeň a používá se v systémech správy kosmické lodi. Fluktuace odporu je menší než 0,01% v prostředích v rozmezí od -55 stupňů do 200 stupňů.

Současná aplikace elektroniky tyče tantalum čelí dvěma hlavním úzkým úzkým místem:

• Kontrola nákladů: Tantalum tyče s vysokou čistotou (větší nebo rovna 99,99%) jsou oceněny při 300 juanských/g a vyžadují optimalizaci procesu prášku (jako je studené izostatické lisování+slinování plazmy), aby se zvýšil výnos z 65%na 85%.
• Mikro adaptace: V reakci na požadavky zařízení MEMS jsme vyvinuli technologii výkresu tantalum s ultra jemnou tyč s průměrem 0,05 mm v kombinaci s ošetřením povrchu nanočástic (jako je atomová depozice vrstvy AL ₂ O3 povlaku).

S pokrokem v oblasti komunikace 6G (Commercial do 2028) a kvantového výpočetního (industrializace do roku 2030) bude poptávka po tyčích Tantalum představovat tři hlavní růstové body:

• Mikrokapacitory: Splňte poptávku po 0,1 mm ³ Ultra Malé jednotky pro skladování energie ve nositelných zařízeních, s očekávanou velikostí trhu 12 miliard dolarů do roku 2030.
• Polovodičový substrát třetí generace: Jako GAN na heterojunkčním substrátu TA je jeho tepelná vodivost (57W/m · K) lepší než safír (35 W/m · K), což může zlepšit účinnost rozptylu tepla o 30%.
• Flexibilní elektronika: Kombinací tantalum fólie (tloušťka 10 μm) s PI substrátem se vyvine flexibilní deska obvodu, která má velký potenciál pro aplikaci v oblasti lékařské elektroniky.

Od základních stanic 5G až po kvantové čipy, tyčinky Tantalum nadále vkládají inovativní energii do elektronického průmyslu s jejich nenahraditelným výkonem. S výbušným růstem komunikace 6G a polovičním tělem třetí generace se Tantalum Rod prolomí úzkým místem miniaturizace a nákladů a otevře Xintiandi v polích flexibilní elektroniky, napájecí zařízení atd.

Stejně jako stabilní provoz každého kondenzátoru Tantalum podporuje puls moderní digitální společnosti, každý technologický skok v materiálech Tantalu se stane pevným základním kamenem pro lidstvo, aby prozkoumal elektronickou hranici. V příštím desetiletí se očekává, že Čína povede novou vlnu aplikací Tantalum Rod s jeho výhodami v celém průmyslovém řetězci a technologické inovaci, což umožní tomuto „průmyslovému vitamínu“ zářit ještě jasnější.

Populární Tagy: Tantalum Rod pro elektronický průmysl, Čína Tantalum Rod pro výrobce elektronického průmyslu, dodavatele, továrna